RSS에서 DDR4 Haswell-E Scaling Review: 2133 to 3200 with G.Skill, Gorsair, ADATA and Crucial 에서 글이올라왔길레 봤는데...

어떤분께서 그렇게 말씀하시던 RAM이 버전업되면서 달라지 내용과 다른 점이 보여서 머릿속 내용을 업데이트하는 겸해서 작성해두는 내용이다.

DRAM Comparison

  Low Voltage Standard Voltage Performance Voltage
DDR 1.80V 2.50V  
DDR2   1.80V 1.90V
DDR3 1.35V 1.50V 1.65V
DDR4 1.05V 1.20V 1.35V

Bandwidth Comparison

  Bus Clock Internal Rate Prefetch Transfer Rate Channel Bandwidth
DDR 100-200 MHz 100-200 MHz 2n 0.20-0.40 GT/s 1.60-3.20 GBps
DDR2 200-533 MHz 100-266 MHz 4n 0.40-1.06 GT/s 3.20-8.50 GBps
DDR3 400-1066 MHz 100-266 MHz 8n 0.80-2.13 GT/s 6.40-17.0 GBps
DDR4 1066-2133 MHz 100-266 MHz 8n 2.13-4.26 GT/s 12.80-25.60 GBps

전압량은 진화될수록 더 낮아져 전력 소비량은 낮아졌고, 속도는 높아졌다. 그런데 어떤분은 전압 부분만 말씀하시던데... 물론 이 내용은 특정 벤더사의 내용일 수도 있지만, 그래도 많은 부분 수정이 된것은 맞은듯. RAM PCB를 보면 특정 핀의 길이가 다른 핀보다 0.5mm만큼 긴것도 특이하다. 특히, 일정 구간에서는 늘어나는 모습을 보여주는 것도...

자세한건 기사내용을 보는 것이 더 좋은듯.